| edoc-Server der Humboldt-Universität zu Berlin |
| Autor(en): | Jürgen Geiser; Robert Roehle | Titel: | Kinetic processes and Phase-transition of CVD processes for Ti₃SiC₂ |
| Erscheinungsjahr: | 2010 |
| Erschienen in: |
Preprints aus dem Institut für Mathematik 1 (Mathematik-Preprints) ISSN: 0863-0976 |
| Volltext: | pdf (urn:nbn:de:kobv:11-100193147) |
| Fachgebiet(e): | Mathematik |
| Schlagwörter (eng): | convection-diffusion equations, PE-CVD process, pathway model |
| Herausgeber: | Humboldt-Universität zu Berlin, Mathematisch-Naturwissenschaftliche Fakultät II, Institut für Mathematik |
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Endnote Bibtex |
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| Abstract (eng): | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| In this paper we present a kinetic model based on numerical simulations of a chemical vapor deposition (CVD) process. We discuss a model that is based on kinetics of the deposition rates to the material. Such a simple model can explain the experimental results. Based on experiments with Ti3SiC2 we verify our model. Here different processes of ionized Ti+, Ti++ and C are important to achieve our stoichiometry. The numerical methods are based on iterative schemes to solve coupled and nonlinear differential equations. The results are discussed with physical experiments to give a valid model for the assumed growth of thin layers. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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