Numerical Analysis of DAEs from Coupled Circuit and Semiconductor Simulation

Monica Selva Soto; Caren Tischendorf

edoc-Server der Humboldt-Universität zu Berlin

Band einer Schriftenreihe

Autor(en):	Monica Selva Soto; Caren Tischendorf
Titel:	Numerical Analysis of DAEs from Coupled Circuit and Semiconductor Simulation
Erscheinungsdatum:	10.12.2003
Erschienen in:	Preprints aus dem Institut für Mathematik 1 (Mathematik-Preprints) ISSN: 0863-0976
Volltext:	pdf (urn:nbn:de:kobv:11-10051982)
Fachgebiet(e):	Mathematik
Schlagwörter (eng):	differential algebraic equation, partial differential equation, tractability index, modified nodal analysis, drift-diffusion equations
Herausgeber:	Humboldt-Universität zu Berlin, Mathematisch-Naturwissenschaftliche Fakultät II, Institut für Mathematik
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Abstract (eng):

In this work we are interested in the numerical solution of a coupled model of differential algebraic equations (DAEs) and partial differential equations (PDEs). The DAEs describe the behavior of an electrical circuit that contains semiconductor devices and the partial differential equations constitute drift-diffusion equations modeling the semiconductor devices in the circuit. After space discretization using a finite element method, the coupled system results in a differential-algebraic system with a properly stated leading term. We investigate the structure and the properties of this DAE system. In particular, we develop structural criteria for the DAE index. This is of basic interest since DAE properties like stability, existence and uniqueness of solutions depend strongly on its index.

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