| Autor(en): |
Tommy Ive |
Titel: |
Growth and investigation of AlN/GaN and (Al,In)N/GaN based Bragg reflectors |
| Gutachter: |
Enrique Calleja; Klaus H. Ploog; W. Ted Masselink |
| Erscheinungsdatum: |
06.01.2006 |
| Volltext: |
pdf
(urn:nbn:de:kobv:11-10056846)
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| Fachgebiet(e): |
Physik |
| Schlagwörter (ger): |
Molekularstrahlepitaxie, Ga)N-Heterostrukturen, GaN-Oberflächenemitter, (Al, Braggreflektoren, In)N-Heterostrukturen, plasmaunterstützte MBE, Si-Dotierung |
| Schlagwörter (eng): |
molecular beam epitaxy, Ga)N heterostructures, GaN surface emitting structures, (Al, distributed Bragg reflectors, In)N heterostructures, plasma-assisted MBE, Si doping |
| Einrichtung: |
Humboldt-Universität zu Berlin, Mathematisch-Naturwissenschaftliche Fakultät I |
| Zitationshinweis: |
Ive, Tommy:
Growth and investigation of AlN/GaN and (Al,In)N/GaN based Bragg reflectors;
Dissertation,
Humboldt-Universität zu Berlin, Mathematisch-Naturwissenschaftliche Fakultät I , publiziert am 06.01.2006, urn:nbn:de:kobv:11-10056846
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| Abstract (ger): |
| Die Synthese von AlN/GaN- und (Al,In)N/GaN-Braggreflektoren wird untersucht. Die Strukturen wurden mittels plasmaunterstützter Molekularstrahlepitaxie auf 6H-SiC(0001)-Substraten abgeschieden. Ferner wurde der Einfluß der Si-Dotierung auf die Oberflächenmorphologie sowie die strukturellen und elektrischen Eigenschaften der AlN/GaN-Braggreflektoren untersucht. Es wurden rißfreie Braggreflektoren mit einer hohen Reflektivität (R>99%) und einem bei 450 nm zentrierten Stopband erhalten. Die Si-dotierten Strukturen weisen eine ohmsche I-V-Charakteristik im gesamten Meßbereich sowie einen spezifischen Widerstand von 2-4 mOhmcm2 auf. Die Ergebnisse der (Al,In)N-Wachstumsversuche wurden in einem Phasendiagramm zusammengefaßt, welches den optimalen Parameterraum für (Al,In)N klar aufzeigt. |
| Abstract (eng): |
| We study the synthesis of AlN/GaN and (Al,In)N/GaN Bragg reflectors. The structures were grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy (MBE) on 6H-SiC(0001) substrates. In addition, we study the impact of Si-doping on the surface morphology and the structural and electrical properties of the AlN/GaN Bragg reflectors. Crack-free and high-reflectance (R>99%) Bragg reflectors were achieved with a stopband centered at 450 nm. The Si-doped structures exhibit ohmic I-V behavior in the entire measurement range. The specific series resistance is 2-4 mOhmcm2. The results of the (Al,In)N growth experiments are summarized in a phase diagram which clearly shows the optimum growth window for (Al,In)N. |
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