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Publikationsart: Artikel
Autor(en): Jürgen Geiser; Olaf Klein; Peter Philip
Titel: Numerical simulation of temperature fields during the sublimation growth of SiC single crystals, using WIAS-HiTNIHS
Erschienen in: Journal of Crystal Growth 303 (1) 2007
S. 352-356
ISSN: 0022-0248
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2006.11.350
Erstveröffentlichung: 01.05.2007
Veröffentlichung auf edoc: 06.07.2009
Status: published
peer_reviewed
Volltext: pdf (urn:nbn:de:kobv:11-10099096)
Fachgebiet(e): Mathematik
Schlagwörter (eng): A1. Anisotropic thermal conductivity, A1. Computer simulation, A1. Heat transfer, A2. Growth from vapor, A2. Single crystal growth, B2. Semiconducting silicon compounds
Einrichtung: Humboldt-Universität zu Berlin, Mathematisch-Naturwissenschaftliche Fakultät II
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Abstract (eng):
We present numerical computations of the temperature fields in axisymmetric growth apparatus for sublimation growth of silicon carbide (SiC) bulk single crystals by physical vapor transport (PVT) (modified Lely method). The results are computed using our software WIAS-HiTNIHS, the WIAS High Temperature Numerical Induction Heating Simulator; pronunciation: not, vert, similarhit-nice, by solving the energy balance in the entire growth apparatus, taking into account the heat conduction in the solid parts as well as in gas cavities, and also accounting for the radiative heat transfer between the surfaces of the gas cavities. The insulation in a PVT growth apparatus usually consists of graphite felt, where the fibers are aligned in one particular direction, resulting in an anisotropic thermal conductivity. We show that neglecting this anisotropy can overestimate the SiC crystal's temperature by 70 K or underestimate the required heating power by 800 W.
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Generiert am 17.04.2014, 12:53:37