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Publikationsart: Artikel
Autor(en): Jürgen Geiser; Olaf Klein; Peter Philip
Titel: Transient numerical study of temperature gradients during sublimation growth of SiC – Dependence on apparatus design
Erschienen in: Journal of Crystal Growth 297 (1) 2006
S. 20-32
http://www.sciencedirect.com/science/journal/00220248
ISSN: 0022-0248
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2006.08.046
Erstveröffentlichung: 15.12.2006
Veröffentlichung auf edoc: 06.07.2009
Status: published
peer_reviewed
Volltext: pdf (urn:nbn:de:kobv:11-10099109)
Fachgebiet(e): Mathematik
Schlagwörter (eng): A1. Computer simulation, A1. Heat transfer, A2. Growth from vapor, A2. Single crystal growth, B2. Semiconducting silicon compounds
Einrichtung: Humboldt-Universität zu Berlin, Mathematisch-Naturwissenschaftliche Fakultät II
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Abstract (eng):
Using transient and stationary mathematical heat transfer models including heat conduction, radiation, and radio frequency (RF) induction heating, we numerically investigate the time evolution of temperature gradients in axisymmetric growth apparatus during the sublimation growth of silicon carbide (SiC) bulk single crystals by physical vapor transport (PVT) (modified Lely method). Temperature gradients in the bulk and on the surface of the growing crystal can cause defects. Here, the evolution of these gradients is studied numerically during the heating, growth, and cooling stages, varying the apparatus design, namely the amount of the source powder charge as well as the size of the upper blind hole used for cooling of the seed. Our results show that a smaller upper blind hole can reduce the temperature gradients both in the bulk and on the surface of the crystal without reducing the surface temperature itself.
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Generiert am 31.08.2014, 08:16:03