Macro- And Micor-Simulations For A Sublimation Growth Of Sic Single Crystals

Jürgen Geiser; Stephan Irle

edoc-Server der Humboldt-Universität zu Berlin

Band einer Schriftenreihe

Autor(en):	Jürgen Geiser; Stephan Irle
Titel:	Macro- And Micor-Simulations For A Sublimation Growth Of Sic Single Crystals
Erscheinungsjahr:	2008
Erschienen in:	Preprints aus dem Institut für Mathematik 15 (Mathematik-Preprints) ISSN: 0863-0976
Volltext:	pdf (urn:nbn:de:kobv:11-100190804)
Fachgebiet(e):	Mathematik
Schlagwörter (eng):	numerical methods, molecular dynamics, heat equation, radiation crystal growth process
Herausgeber:	Humboldt-Universität zu Berlin, Mathematisch-Naturwissenschaftliche Fakultät II, Institut für Mathematik
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Abstract (eng):

The numerous technical applications in electronic and optoelectronic devices, such as lasers, diodes, and sensors demand high-quality silicon carbide (SiC) bulk single crystal for industrial applications. We consider a SiC crystal growth process by physical vapor transport (PVT), called modified Lely method. We deal with a model for the micro and macro-scale of the sublimation processes within the growth apparatus. The macroscopic model is based on the heat equation with heat sources due to induction heating and nonlocal interface conditions, representing the heat transfer by radiation. The microscopic model is based on the quantum chemical potential and is computed with molecular dynamics. We study of the temperature evolution in the apparatus and reflect the growth behavior of the microscopic model. We present results of some numerical simulations of the micro- and macro-model of our growth apparatus.

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