Monte Carlo simulations concerning modeling DC and high power pulsed magnetron sputtering for Ti₃SiC₂ including high pressures and ion deposition probabilities

Jürgen Geiser

edoc-Server der Humboldt-Universität zu Berlin

Band einer Schriftenreihe

Autor(en):	Jürgen Geiser
Titel:	Monte Carlo simulations concerning modeling DC and high power pulsed magnetron sputtering for Ti₃SiC₂ including high pressures and ion deposition probabilities
Erscheinungsjahr:	2010
Erschienen in:	Preprints aus dem Institut für Mathematik 6 (Mathematik-Preprints) ISSN: 0863-0976
Volltext:	pdf (urn:nbn:de:kobv:11-100193394)
Fachgebiet(e):	Mathematik
Schlagwörter (eng):	Monte Carlo simulations, DC sputtering, High power pulsed magnetron sputtering, Hard sphere interaction, Screened Coulomb, viral expansion, implantation model
Herausgeber:	Humboldt-Universität zu Berlin, Mathematisch-Naturwissenschaftliche Fakultät II, Institut für Mathematik
Metadatenexport: Um den gesamten Metadatensatz im Endnote- oder Bibtex-Format zu speichern, klicken Sie bitte auf den entsprechenden Link.	Endnote Bibtex
print on demand: Wenn Sie auf dieses Icon klicken, können Sie ein Druckexemplar dieser Publikation bestellen.
Diese Seite taggen: Diese Icons führen auf so genannte Social-Bookmark-Systeme, auf denen Sie Lesezeichen anlegen, persönliche Tags vergeben und Lesezeichen anderer Nutzer ansehen können.

Abstract (eng):

We motivate our study by simulating the particle transport of a thin film deposition process done by PVD (physical vapor deposition) processes. In this paper we present a new model taken into account a higher pressure regimes in a sputter process. We propose a collision models for projectile and target collisions in order to compute the mean free path and include the virial coefficients that considered interacting gas particles. A detailed description of collision models of the Monte Carlo Simulations is discussed for high power impulse magnetron sputtering (HIPIMS) and DC sputtering in lower pressure regimes. We derive an equation for the mean free path for arbitrary interactions (cross sections) which (most important) includes the relative velocity between the projectiles and targets based on physical first principles and extend with higher order Virial terms . At the substrate we simulate the implantation of the particles with the help of TRIM, based on result of the energy that are computed with the Monte Carlo methods. We apply our results to three interaction models: hard sphere interaction, Screened Coulomb interaction and a mixture of the last mentioned interactions. The deposition to realistic geometries, which have sharp angles included, are presented. Because of the strong convective process of a HIPIMS method, the low diffusion process allows not to deposit into delicate geometries, see [Christ2005]. This can be improved by rotating the target to a more or less perpendicular angle.

Zugriffsstatistik:

Die Daten für die Zugriffsstatistik der einzelnen Dokumente wurden aus den durch AWStats aggregierten Webserver-Logs erstellt. Sie beziehen sich auf den monatlichen Zugriff auf den Volltext sowie auf die Startseite. Die Zugriffsstatistik wird nicht standardisiert erfasst und kann maschinelle Zugriffe enthalten.

Bei Formatversionen eines Dokuments, die aus mehreren Dateien bestehen (insbesondere HTML), wird jeweils der monatlich höchste Zugriffswert auf eine der Dateien (Kapitel) des Dokuments angezeigt.

Um die detaillierten Zugriffszahlen zu sehen, fahren Sie bitte mit dem Mauszeiger über die einzelnen Balken des Diagramms.

Sep
11

Oct
11

Jan
12

Apr
12

May
12

Jun
12

Jul
12

Aug
12

Sep
12

Oct
12

Nov
12

Dec
12

Jan
13

Apr
13

Monat	Sep 11	Oct 11	Jan 12	Apr 12	May 12	Jun 12	Jul 12	Aug 12	Sep 12	Oct 12	Nov 12	Dec 12	Jan 13	Apr 13
Startseite	2	1							1
PDF	1	1	1	2	2	1	3	1	5	1	5	5	7	5

Gesamtzahl der Zugriffe seit Sep 2011:

Startseite – 4 (0.29 pro Monat)
PDF – 40 (2.86 pro Monat)

Generiert am 19.05.2013, 13:51:14