Auflistung nach Titel
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2007-06-22DissertationGrowth and anisotropic transport properties of self-assembled InAs nanostructures in InP Selbstorganisierte InAs Nanostrukturen in InP, wie Quantendrähte, Quantenpunkte, und Quantengräben als Referenz, werden bezüglich ihres Wachstums, ihrer Struktur, optischen Eigenschaften und Transporteigenschaften untersucht. ...
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2005-03-03DissertationGrowth and characterization of Ga(As,N) and (In,Ga)(As,N) Das Thema dieser Dissertation ist das MBE-Wachstum und die Charakterisierung von Ga(As,N) und (In,Ga)(As,N). Die Arbeit beginnt mit der Optimierung des Wachstums von Ga(As,N). Aufgrund der hohen Mischbarkeitslücke von GaN ...
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2013-03-11DissertationGrowth and characterization of InP/In0.48Ga0.52P quantum dots optimized for single-photon emission In dieser Forschungsarbeit wird das selbstorganisierte Wachstum von InP/InGaP-Quantenpunkten (QP) sowie ihre optischen und strukturellen Eigenschaften untersucht. Die QP wurden auf GaAsgitterangepasstem InGaP gewachsen.S ...
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2004-07-06DissertationGrowth and characterization of M-plane GaN and (In,Ga)N/GaN multiple quantum wells Thema dieser Arbeit ist die Synthese von Wurtzit M-plane (In,Ga)N(1-100)-Heterostrukturen auf g-LiAlO2(100) mittels plasmaunterstützter Molekularstrahlepitaxie (MBE). Der Einfluß der Wachstumsbedingungen auf die strukturellen, ...
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2021-12-14DissertationGrowth and characterization of phosphorus-doped silicon for photovoltaic application directionally solidified under the influence of different process conditions In dieser Arbeit werden Möglichkeiten zur Homogenisierung von Widerstandsprofilen entlang von phosphordotierten, gerichtet erstarrten, multikristallinen Silizium (mc-Si) Blöcken für PV-Anwendungen untersucht. Die im Rahmen ...
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2009-04-03DissertationGrowth and characterization of silicon and germanium nanowhiskers Die vorliegende Dissertation befasst sich mit dem Wachstum und der Charakterisierung von Silizium- und Germanium-Nanodrähten. Diese Strukturen gelten als aussichtsreiche Komponenten für zukünftige Bauelemente. Für die ...
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2022-02-07DissertationGrowth and defect investigation of high-purity germanium crystals for radiation detector applications Isotopenangereicherte hochreine Germanium (HPGe) Strahlungsdetektorkristalle mit herausragender chemischen Reinheit und kristalliner Perfektion spielen eine Schlüsselrolle zur Beantwortung fundamentaler Fragen bezüglich ...
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1989-01-01ZeitschriftenartikelGrowth and development at the age of 1.5 years in children with maternal hypertension
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2006-01-06DissertationGrowth and investigation of AlN/GaN and (Al,In)N/GaN based Bragg reflectors Die Synthese von AlN/GaN- und (Al,In)N/GaN-Braggreflektoren wird untersucht. Die Strukturen wurden mittels plasmaunterstützter Molekularstrahlepitaxie auf 6H-SiC(0001)-Substraten abgeschieden. Ferner wurde der Einfluß der ...
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2018-09-07DissertationGrowth and properties of GaAs/(In,Ga)As core-shell nanowire arrays on Si Diese Arbeit präsentiert Untersuchungen zum Wachstum von GaAs Nanodrähten (NWs) und (In,Ga)As Hüllen mittels Molekularstrahlepitaxie (MBE) mit sekundärem Fokus auf den optischen Eigenschaften solcher Kern-Hülle Strukturen. ...
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2017-07-11DissertationGrowth Kinetics, Thermodynamics, and Phase Formation of group-III and IV oxides during Molecular Beam Epitaxy Die vorliegende Arbeit präsentiert eine erste umfassende Wachstumsstudie, und erste quantitative Wachstumsmodelle, von Gruppe-III und IV Oxiden synthetisiert mit sauerstoffplasmaunterstützter Molekularstrahlepitaxie (MBE). ...
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2021-03-05DissertationGrowth of (In, Ga)N/GaN short period superlattices using substrate strain engineering Das Wachstum von monolagen dünnen Schichten von InN und GaN/InN auf ZnO wurde untersucht. Ebenso der Einfluss der Verspannung, welche durch das Substrat bedingt ist, auf den Indiumgehalt von (In, Ga)N Heterostrukturen, ...
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2022-05-10DissertationGrowth of axial and core-shell (In,Ga)N/GaN heterostructures on GaN nanowires on TiN In dieser Arbeit werden das Wachstum und die optischen Eigenschaften von selbstorganisierten GaN Nanodrähten auf TiN und nanodrahtbasierten (In,Ga)N/GaN Heterostrukturen für LED Anwendungen untersucht. Zu diesem Zweck wird ...
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2018-03-14DissertationGrowth of GaN nanowire ensembles in molecular beam epitaxy: Overcoming the limitations of their spontaneous formation Dichte Ensembles aus GaN-Nanodrähten können in der Molekularstrahlepitaxie mithilfe eines selbstinduzierten Prozesses sowohl auf kristallinen als auch amorphen Substraten gezüchtet werden. Aufgrund der Natur selbstgesteuerter ...
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2018-05-24DissertationGrowth of graphene/hexagonal boron nitride heterostructures using molecular beam epitaxy Zweidimensionale (2D) Materialien bieten eine Vielzahl von neuartigen Eigenschaften und sind aussichtsreich Kandidaten für ein breites Spektrum an Anwendungen. Da hexagonales Bornitrid (h-BN) für eine Integration in ...
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2021-04-08DissertationGrowth of lattice-matched hybrid semiconductor-ferromagnetic trilayers using solid-phase epitaxy. Diese Arbeit befasst sich mit dem Wachstum von Dünnschichtstrukturen, die zur Herstellung eines Spin-selektiven Schottky-Barrier-Tunneltransistors (SS-SBTT) erforderlich sind. Das Bauelement basiert auf dem Transport von ...
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2005-09-29BuchGrowth Regression and Counterfactual Income Dynamics
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2016-01-04DissertationGrowth, fabrication, and investigation of light-emitting diodes based on GaN nanowires Diese Arbeit gibt einen tiefgehenden Einblick in verschiedene Aspekte von auf (In,Ga)N/GaN Heterostrukturen basierenden Leuchtdioden (LEDs), mittels Molekularstrahlepitaxie entlang der Achse von Nanodrähten (NWs) auf Si ...
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2011-09-08Teil eines BuchesGroß - und doch nicht groß genug : eine Reithalle im englischen Stil
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1992-10-27VorlesungGroßbritannien, Frankreich und die westeuropäische Integration