2001-12-14Dissertation
Charakterisierung des Relaxationsverhaltens von Si 1-x Ge x /Si(001) Schichten mittels Röntgentopographie
Pfeiffer, Jens-Uwe
Die Herstellung von verspannten Schichten mittels Heteroepitaxie gewinnt in der aktuellen Festkörperphysik zunehmend an Bedeutung, insbesondere wenn es gelingt, Schichten mit unterschiedlichen Gitterparametern in hoher ...