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2000-12-20Dissertation DOI: 10.18452/14674
Korrelation elektronischer und struktureller Eigenschaften selbstorganisierter InAs-Nanostrukturen der Dimensionen 0 und 1 auf Verbindungshalbleitern
dc.contributor.authorWalther, Carsten
dc.date.accessioned2017-06-18T04:36:04Z
dc.date.available2017-06-18T04:36:04Z
dc.date.created2000-12-20
dc.date.issued2000-12-20none
dc.identifier.urihttp://edoc.hu-berlin.de/18452/15326
dc.description.abstractDas gitterfehlangepaßte Kristallwachstum führt unter bestimmten Bedingungen zu einem 3-D Wachstumsmodus, der oft Stranski-Krastanow-Wachstum genannt wird. Resultierende Strukturgrößen liegen in der Größenordnung 10 nm und die Halbleiterstrukturen besitzen daher Quanteneigenschaften. Sie stehen im Fokus grundlagenwissenschaftlichen Interesses, da künstliche Atome und Dimensionalitätseffekte an ihnen untersucht werden können. Auch von der Anwendungsseite wächst das Interesse, da niederdimensionale Strukturen hoher Kristallqualität und mit hoher gestalterischer Freiheit geschaffen werden können. In dieser Arbeit wurden Mischhalbleiter-Heterostrukturen der Dimensionalität d= 0,1 und 2 mittels Gasphasen-MBE hergestellt. Ziel war eine Korrelation der strukturellen mit den elektronischen und optischen Eigenschaften. Selbstformierende Quantendrähte und Quantenpunkte in leitfähigen Kanälen wurden in ihrem Einfluß auf den lateralen Transport untersucht. Weiterhin wird dargestellt, wie zusätzliche, durch Quantenpunkte induzierte Oberflächenzustände eine deutliche Verschiebung der Energie des Oberflächen-Ferminiveau-Pinning einer (100)-GaAs-Oberfläche verursachen. Der senkrechte Elektronentransport durch Quantenpunkte dient der Untersuchung von Dot-induzierten, tiefen elektronischen Zuständen und der Erklärung eines eindimensionalen Modells elektronischer Kopplung zwischen denselben. Zusätzlich führen uns die Ergebnisse optischer Messungen zu einem besseren Verständnis des Vorgangs der Dotformierung und der elektronischen Kopplung zwischen zufällig verteilten Quantenpunkten.ger
dc.description.abstractThe lattice-mismatched epitaxial growth is known to induce a three-dimensional growth mode often referred to as Stranski-Krastanov growth. The resulting structures have typical sizes of 10 nm and possess quantum properties, which are of fundamental physical interest, since artificial atoms and dimensionality effects can be studied. There is a growing interest from an applicational point of view also, since low dimensional structures of a high crystal quality and of a high degree of designerabillity can be created. In this work such structures of a dimensionality d=0,1 and 2 based on compound semiconductors have been designed and prepared by molecular beam epitaxy to perform comparative studies with respect to their electronic, structural and optical properties. Self assembled quantum wires and dots in conductive channels have been examined according to their influence on lateral electrical transport. It is demonstrated how additional surface states from quantum dots cause a distinct shift in the Surface Fermi-level of a GaAs (100) surface. Vertical transport through dots is used to support a model of one-dimensional coupling between deep states induced by the dots. Additionally, optical investigations let us attain a better understanding of the process of dot formation and the electronic coupling between the randomly distributed dots.eng
dc.language.isoger
dc.publisherHumboldt-Universität zu Berlin, Mathematisch-Naturwissenschaftliche Fakultät I
dc.subjectSelbstorganisationger
dc.subjectQuantenpunktger
dc.subjectInAsger
dc.subjectGaAsger
dc.subjectInPger
dc.subjectMBEger
dc.subjectElektronentransportger
dc.subjectBandstrukturger
dc.subjectHeterostrukturenger
dc.subjectquantum doteng
dc.subjectMBEeng
dc.subjectInAseng
dc.subjectGaAseng
dc.subjectInPeng
dc.subjectself assemblyeng
dc.subjectelectronic transporteng
dc.subjectbandstructureeng
dc.subjectheterostructureseng
dc.subject.ddc530 Physik
dc.titleKorrelation elektronischer und struktureller Eigenschaften selbstorganisierter InAs-Nanostrukturen der Dimensionen 0 und 1 auf Verbindungshalbleitern
dc.typedoctoralThesis
dc.identifier.urnurn:nbn:de:kobv:11-10016099
dc.identifier.doihttp://dx.doi.org/10.18452/14674
dc.date.accepted2000-12-20
dc.contributor.refereePloog, Klaus H.
dc.contributor.refereeMasselink, Ted W.
dc.contributor.refereeSeifert, Werner
dc.subject.dnb29 Physik, Astronomie
dc.subject.rvkUP 3150
local.edoc.pages193
local.edoc.type-nameDissertation
local.edoc.institutionMathematisch-Naturwissenschaftliche Fakultät I

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