Show simple item record

2009-12-01Dissertation DOI: 10.18452/16054
Radical-source molecular beam epitaxy of ZnO-based heterostructures
dc.contributor.authorSadofiev, Sergey
dc.date.accessioned2017-06-18T09:46:43Z
dc.date.available2017-06-18T09:46:43Z
dc.date.created2010-02-24
dc.date.issued2009-12-01
dc.identifier.urihttp://edoc.hu-berlin.de/18452/16706
dc.description.abstractIm Rahmen der Dissertation wurden molekularstrahlepitaktische Verfahren zur Züchtung von Hetero-und Quantenstrukturen auf der Basis der Gruppe II-Oxide entwickelt. Insbesondere wurde ein Wachstumsregime weit entfernt vom thermischen Gleichgewicht etabliert, welches die Mischung von CdO und MgO mit ZnO in phasenreiner Wurtzitstruktur ermöglicht, wobei die Gleichgewichtslöslichkeitsgrenzen dramatisch überschritten werden. In den Mischkristallen kann die Bandlücke kontinuierlich von 2.2 bis 4.4 eV eingestellt werden. Das Wachstum verläuft in einem zweidimensionalen Modus und resultiert in atomar glatten Ober- und Grenzflächen. Ausgeprägte RHEED- Intensitätsoszillationen erlauben die atomlagengenaue Kontrolle der Schichtdicken und somit die Realisierung wohl-defi- nierter Einzel- und Mehrfachquantengrabenstrukturen. Diese zeichnen sich durch eine hohe Photolumineszenzquantenausbeute im gesamten sichtbaren Spektralbereich aus. Laseraktivität kann vom UV bis zum grünen Wellenlängenbereich bei Zimmertemperatur erzielt werden. Das Potenzial dieser Quantenstrukturen in Hinblick auf ihre Anwendung in opto-elektronischen Bauelementen wird diskutiert.ger
dc.description.abstractThis work focuses on the development of the novel growth approaches for the fabrication of Group II-oxide materials in the form of epitaxial films and heterostructures. It is shown that molecular-beam epitaxial growth far from thermal equilibrium allows one to overcome the standard solubility limit and to alloy ZnO with MgO or CdO in strict wurtzite phase up to mole fractions of several 10 %. In this way, a band-gap range from 2.2 to 4.4 eV can be covered. A clear layerby- layer growth mode controlled by oscillations in reflection high-energy electron diffraction makes it possible to fabricate atomically smooth heterointerfaces and well-defined quantum well structures exhibiting prominent band-gap related light emission in the whole composition range. On appropriately designed structures, laser action from the ultraviolet down to green wavelengths and up to room temperature is achieved. The properties and potential of the "state-of-the-art" materials are discussed in relation to the advantages for their applications in various optoelectronic devices.eng
dc.language.isoeng
dc.publisherHumboldt-Universität zu Berlin, Mathematisch-Naturwissenschaftliche Fakultät I
dc.rightsNamensnennung - Keine kommerzielle Nutzung - Keine Bearbeitung
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/de/
dc.subjectMolekularstrahlepitaxieger
dc.subjectHeterostrukturen und Quantengräbenger
dc.subjectZnOger
dc.subjectZnMgOger
dc.subjectZnCdOger
dc.subjectMolecular beam epitaxyeng
dc.subjectHetero- and quantum well structureseng
dc.subjectZnOeng
dc.subjectZnMgOeng
dc.subjectZnCdOeng
dc.subject.ddc530 Physik
dc.titleRadical-source molecular beam epitaxy of ZnO-based heterostructures
dc.typedoctoralThesis
dc.identifier.urnurn:nbn:de:kobv:11-100105916
dc.identifier.doihttp://dx.doi.org/10.18452/16054
dc.identifier.alephidHU004824942
dc.date.accepted2009-10-27
dc.contributor.refereeHenneberger, Fritz
dc.contributor.refereeMasselink, W. Ted
dc.contributor.refereeWaag, Andreas
dc.subject.dnb29 Physik, Astronomie
local.edoc.pages115
local.edoc.type-nameDissertation
local.edoc.institutionMathematisch-Naturwissenschaftliche Fakultät I

Show simple item record