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2010-12-09Dissertation DOI: 10.18452/16243
Molecular beam epitaxy of GeTe-Sb2Te3 phase change materials studied by X-ray diffraction
dc.contributor.authorShayduk, Roman
dc.date.accessioned2017-06-18T10:27:57Z
dc.date.available2017-06-18T10:27:57Z
dc.date.created2011-01-05
dc.date.issued2010-12-09
dc.identifier.urihttp://edoc.hu-berlin.de/18452/16895
dc.description.abstractDie monolithische Integration von Phasenwechselmaterialien mit Halbleiter-Hetero\-strukturen er\"offnet neue Perspektiven f\"ur zuk\"unftige Generationen von nichtfl\"uchtigen Speicherbauelementen. %Epitaktische Phasenwechselmaterialien erm�glichen detaillierte %Studien der strukturellen �nderungen w�hrend des Phasen�bergangs und %erlauben eine Bestimmung der Skalierungslimits zuk�nftiger %Datenspeicher. Diese Arbeit befasst sich mit dem epitaktischen Wachstum von Ge-Sb-Te Phasenwechselmaterialien. Dazu wurden Ge-Sb-Te(GST) Schichten mittels Molekularstrahlepitaxie (MBE) auf GaSb(001)-Substraten abgeschieden. Die kristallografische Orientierung und die Ver\"anderungen der Gitterkonstante w\"ahrend des Wachstums wurden mittels R\"ontgenbeugung unter streifendem Einfall (GIXRD) bestimmt. Das Nukleationsverhalten zu Beginn des Wachstums wurde mittels Hochenergie-Elektronenbeugung unter streifendem Einfall (RHEED) untersucht.ger
dc.description.abstractThe integration of phase change materials into semiconductor heterostructures may lead to the development of a new generation of high density non-volatile phase change memories. Epitaxial phase change materials allow to study the detailed structural changes during the phase transition and to determine the scaling limits of the memory. This work is dedicated to the epitaxial growth of Ge-Sb-Te phase change alloys on GaSb(001). We deposit Ge-Sb-Te (GST) films on GaSb(001) substrates by means of molecular beam epitaxy (MBE). The film orientation and lattice constant evolution is determined in real time during growth using grazing incidence X-ray diffraction (GID). The nucleation stage of the growth is studied \emph{in situ} using reflection high energy electron diffraction (RHEED).eng
dc.language.isoeng
dc.publisherHumboldt-Universität zu Berlin, Mathematisch-Naturwissenschaftliche Fakultät I
dc.rightsNamensnennung - Keine kommerzielle Nutzung
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc/3.0/de/
dc.subjectMolekularstrahlepitaxieger
dc.subjectPhasenwechselmaterialienger
dc.subjectRontgenbeugungger
dc.subjectHochenergie Elektronenbeugung unter streifendem Einfallger
dc.subjectX-ray diffractioneng
dc.subjectMolecular beam epitaxyeng
dc.subjectPhase change materialseng
dc.subjectReflection high energy electron diffractioneng
dc.subject.ddc530 Physik
dc.titleMolecular beam epitaxy of GeTe-Sb2Te3 phase change materials studied by X-ray diffraction
dc.typedoctoralThesis
dc.identifier.urnurn:nbn:de:kobv:11-100179551
dc.identifier.doihttp://dx.doi.org/10.18452/16243
dc.identifier.alephidBV036887922
dc.date.accepted2010-05-20
dc.contributor.refereePloog, Klaus H.
dc.contributor.refereeMasselink, Ted
dc.contributor.refereeWieck, Andreas
dc.subject.dnb29 Physik, Astronomie
dc.subject.rvkUM 5000
dc.subject.rvkUQ 5600
local.edoc.pages133
local.edoc.type-nameDissertation
bua.departmentMathematisch-Naturwissenschaftliche Fakultät I

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