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2013-07-30Dissertation DOI: 10.18452/16797
Luminescence of group-III-V nanowires containing heterostructures
dc.contributor.authorLähnemann, Jonas
dc.date.accessioned2017-06-18T12:32:04Z
dc.date.available2017-06-18T12:32:04Z
dc.date.created2013-08-27
dc.date.issued2013-07-30
dc.identifier.urihttp://edoc.hu-berlin.de/18452/17449
dc.description.abstractIn dieser Dissertation wird die spektrale und örtliche Verteilung der Lumineszenz von Heterostrukturen in selbstorganisierten Nanodrähten (ND) mit Hilfe von Kathodolumineszenz-Spektroskopie (KL) im Rasterelektronenmikroskop untersucht. Diese Methode wird ergänzt durch Messungen der kontinuierlichen und zeitaufgelösten Mikro-Photolumineszenz. Drei verschiedene Strukturen werden behandelt: (i) GaAs-ND bestehend aus Segmenten der Wurtzit (WZ) bzw. Zinkblende (ZB) Kristallstrukturen, (ii) auf GaN-ND überwachsene GaN-Mikrokristalle und (iii) (In,Ga)N Einschlüsse in GaN-ND. Die gemischte Kristallstruktur der GaAs-ND führt zu komplexen Emissionsspektren. Dabei wird entweder ausschließlich Lumineszenz bei Energien unterhalb der ZB Bandlücke, oder aber zusätzlich bei höheren Energien, gemessen. Diese Differenz wird durch unterschiedliche Dicken der ZB und WZ Segmente erklärt. Messungen bei Raumtemperatur zeigen, dass die Bandlücke von WZ-GaAs mindestens 55 meV größer als die von ZB-GaAs ist. Die Lumineszenz-Spektren der GaN-Mikrokristalle enthalten verschiedene Emissionslinien, die auf Stapelfehler (SF) zurückzuführen sind. SF sind ZB Quantentöpfe verschiedener Dicke in einem WZ-Kristall und es wird gezeigt, dass ihre Emissionsenergie durch die spontane Polarisation bestimmt wird. Aus einer detaillierten statistischen Analyse der Emissionsenergien der verschiedenen SF-Typen werden Emissionsenergien von 3.42, 3.35 und 3.29 eV für die intrinsischen (I1 und I2) sowie für extrinsische SF ermittelt. Aus den entsprechenden Energiedifferenzen wird -0.022C/m² als experimenteller Wert für die spontane Polarisation von GaN bestimmt. Die Bedeutung sowohl der piezoelektrischen Polarisation als auch die der Lokalisierung von Ladungsträgern wird für (In,Ga)N-Einschlüsse in GaN-ND gezeigt. Hierbei spielt nicht nur die Lokalisierung von Exzitonen, sondern auch die individueller Elektronen und Löcher an unterschiedlichen Potentialminima eine Rolle.ger
dc.description.abstractIn this thesis, the spectral and spatial luminescence distribution of heterostructures in self-induced nanowires (NWs) is investigated by cathodoluminescence spectroscopy in a scanning electron microscope. This method is complemented by data from both continuous and time-resolved micro-photoluminescence measurements. Three different structures are considered: (i) GaAs NWs containing segments of the wurtzite (WZ) and zincblende (ZB) polytypes, (ii) GaN microcrystals overgrown on GaN NWs, and (iii) (In,Ga)N insertions embedded in GaN NWs. The polytypism of GaAs NWs results in complex emission spectra. The observation of luminescence either exclusively at energies below the ZB band gap or also at higher energies is explained by differences in the distribution of ZB and WZ segment thicknesses. Measurements at room temperature suggest that the band gap of WZ GaAs is at least 55 meV larger than that of the ZB phase. The luminescence spectra of the GaN microcrystals contain distinct emission lines associated with stacking faults (SFs). SFs essentially constitute ZB quantum wells of varying thickness in a WZ matrix and it is shown that their emission energy is dominated by the spontaneous polarization. Through a detailed statistical analysis of the emission energies of the different SF types, emission energies of 3.42, 3.35 and 3.29 eV are determined for the intrinsic (I1 and I2) as well as the extrinsic SFs, respectively. From the corresponding energy differences, an experimental value of -0.022C/m² is derived for the spontaneous polarization of GaN. The importance of both carrier localization and the quantum confined Stark effect induced by the piezoelectric polarization is shown for the luminescence of (In,Ga)N insertions in GaN NWs. Not only localized excitons, but also electrons and holes individually localized at different potential minima contribute to the observed emission.eng
dc.language.isoeng
dc.publisherHumboldt-Universität zu Berlin, Mathematisch-Naturwissenschaftliche Fakultät I
dc.rightsNamensnennung - Keine kommerzielle Nutzung - Weitergabe unter gleichen Bedingungen
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/3.0/de/
dc.subjectGaNger
dc.subject(In, Ga)Nger
dc.subjectStapelfehlerger
dc.subjectNanodrahtger
dc.subjectGaAsger
dc.subjectKathodolumineszenzger
dc.subjectSpontane Polarisationger
dc.subjectPolytypismusger
dc.subjectWurtzitger
dc.subjectZinkblendeger
dc.subjectGaNeng
dc.subject(In, Ga)Neng
dc.subjectstacking faulteng
dc.subjectGaAseng
dc.subjectnanowireeng
dc.subjectcathodoluminescenceeng
dc.subjectspontaneous polarizationeng
dc.subjectpolytypismeng
dc.subjectwurtziteeng
dc.subjectzincblendeeng
dc.subject.ddc530 Physik
dc.titleLuminescence of group-III-V nanowires containing heterostructures
dc.typedoctoralThesis
dc.identifier.urnurn:nbn:de:kobv:11-100212149
dc.identifier.doihttp://dx.doi.org/10.18452/16797
dc.identifier.alephidBV041241262
dc.date.accepted2013-07-30
dc.contributor.refereeRiechert, Henning
dc.contributor.refereeKowarik, Stefan
dc.contributor.refereeBechstedt, Friedhelm
dc.subject.dnb29 Physik, Astronomie
dc.subject.rvkUP 3120
dc.subject.rvkUP 3150
dc.subject.rvkVG 8750
local.edoc.pages169
local.edoc.type-nameDissertation
dc.title.subtitlethe role of polytypism, polarization fields and carrier localization
bua.departmentMathematisch-Naturwissenschaftliche Fakultät I

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