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2016-01-04Dissertation DOI: 10.18452/17409
Growth, fabrication, and investigation of light-emitting diodes based on GaN nanowires
dc.contributor.authorMusolino, Mattia
dc.date.accessioned2017-06-18T14:39:39Z
dc.date.available2017-06-18T14:39:39Z
dc.date.created2016-01-14
dc.date.issued2016-01-04
dc.identifier.urihttp://edoc.hu-berlin.de/18452/18061
dc.description.abstractDiese Arbeit gibt einen tiefgehenden Einblick in verschiedene Aspekte von auf (In,Ga)N/GaN Heterostrukturen basierenden Leuchtdioden (LEDs), mittels Molekularstrahlepitaxie entlang der Achse von Nanodrähten (NWs) auf Si Substraten gewachsen. Insbesondere wurden die Wachstumsparameter angepasst, um eine Koaleszierung der Nanodrähte zu vermindern. Auf diese Weise konnte die durch die NW-LEDs emittierte Intensität der Photolumineszenz (PL) um einen Faktor zehn erhöht werden. Die opto-elektronischen Eigenschaften von NW-LEDs konnten durch die Verwendung von Indiumzinoxid, anstatt von Ni/Au als Frontkontakt, verbessert werden. Zudem wurde demonstriert, dass auch selektives Wachstum (SAG) von GaN NWs auf AlN gepufferten Si Substraten mit einer guten Leistungsfähigkeit von Geräte vereinbar ist und somit als Wegbereiter für eine neue Generation von NW-LEDs auf Si dienen kann. Weiterhin war es möglich, strukturierte Felder von ultradünnen NWs durch SAG und thermische in situ Dekomposition herzustellen. In den durch die NW-LEDs emittierten Elektrolumineszenzspektren (EL) wurde eine Doppellinenstruktur beobachtet, die höchstwahrscheinlich von den kompressiven Verspannungen im benachbarten Quantentopf, durch die Elektronensperrschicht verursachten, herrührt. Die Analyse von temperaturabhängigen PL- und EL-Messungen zeigt, dass Ladungsträgerlokalisierungen nicht ausschlaggebend für die EL-Emission von NW-LEDs sind. Die Strom-Spannungs-Charakteristiken (I-V) von NW-LEDs unter Vorwärtsspannung wurden mittels eines Modells beschrieben, in das die vielkomponentige Natur der LEDs berücksichtigt wird. Die unter Rückwärtsspannung aktiven Transportmechanismen wurden anhand von Kapazitätstransientenmessungen und temperaturabhänigigen I-V-Messungen untersucht. Dann wurde ein physikalisches Modell zur quantitativen Beschreibung der besonderen I-V-T Charakteristik der untersuchten NW-LEDs entwickelt.ger
dc.description.abstractThis PhD thesis provides an in-depth insight on various crucial aspects of light-emitting diodes (LEDs) based on (In,Ga)N/GaN heterostructures grown along the axis of nanowires (NWs) by molecular beam epitaxy on Si substrates. In particular, the growth parameters are adjusted so as to suppress the coalescence of NWs; in this way the photoluminescence (PL) intensity emitted from the NW-LEDs can be increased by about ten times. The opto-electronic properties of the NW-LEDs can be further improved by exclusively employing indium tin oxide instead of Ni/Au as top contact. Furthermore, the compatibility of selective-area growth (SAG) of GaN NWs on AlN-buffered Si substrates with device operation is demonstrated, thus paving the way for a new generation of LEDs based on homogeneous NW ensembles on Si. Ordered arrays of ultrathin NWs are also successfully obtained by combining SAG and in situ post-growth thermal decomposition. A double-line structure is observed in the electroluminescence (EL) spectra emitted by the NW-LEDs; it is likely caused by compressive strain introduced by the (Al,Ga)N electron blocking layer in the neighbouring (In,Ga)N quantum well. An in-depth analysis of temperature dependent PL and EL measurements indicates that carrier localization phenomena do not dominate the EL emission properties of the NW-LEDs. The forward bias current-voltage (I-V) characteristics of different NW-LEDs are analysed by means of an original model that takes into account the multi-element nature of LEDs based on NW ensembles by assuming a linear dependence of the ideality factor on applied bias. The transport mechanisms in reverse bias regime are carefully studied by means of deep level transient spectroscopy (DLTS) and temperature dependent I-V measurements. The physical origin of the detected deep states is discussed. Then, a physical model able to describe quantitatively the peculiar I-V-T characteristics of NW-LEDs is developed.eng
dc.language.isoeng
dc.publisherHumboldt-Universität zu Berlin, Mathematisch-Naturwissenschaftliche Fakultät
dc.rights.urihttp://rightsstatements.org/vocab/InC/1.0/
dc.subjectGaNger
dc.subjectGalliumnitridger
dc.subjectMBEger
dc.subjectLeuchtdiodenger
dc.subjectGa)Nger
dc.subject(Inger
dc.subjectNanodraehtenger
dc.subjectITOger
dc.subjectTop-Kontaktger
dc.subjectElektrolumineszenzger
dc.subjectEQEger
dc.subjectStrom-Spannungger
dc.subjectMulti-Elementger
dc.subjecttiefen Stoerstellenger
dc.subjectDLTSger
dc.subjectgallium nitrideeng
dc.subjectGa)Neng
dc.subjectGaNeng
dc.subjectMBEeng
dc.subjectnanowireseng
dc.subjectlight-emitting diodeseng
dc.subject(Ineng
dc.subjectITOeng
dc.subjecttop contacteng
dc.subjectelectroluminescenceeng
dc.subjectEQEeng
dc.subjectcurrent-voltageeng
dc.subjectmulti-elementeng
dc.subjectdeep stateseng
dc.subjectDLTSeng
dc.subject.ddc530 Physik
dc.titleGrowth, fabrication, and investigation of light-emitting diodes based on GaN nanowires
dc.typedoctoralThesis
dc.identifier.urnurn:nbn:de:kobv:11-100235287
dc.identifier.doihttp://dx.doi.org/10.18452/17409
dc.identifier.alephidBV043276945
dc.date.accepted2015-12-15
dc.contributor.refereeRiechert, Henning
dc.contributor.refereeMasselink, Ted W.
dc.contributor.refereeDaudin, Bruno
dc.subject.dnb29 Physik, Astronomie
dc.subject.rvkUP 5050
dc.subject.rvkZN 5040
dc.subject.rvkUP 7550
local.edoc.pages175
local.edoc.type-nameDissertation
local.edoc.institutionMathematisch-Naturwissenschaftliche Fakultät

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