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2017-08-08Dissertation DOI: 10.18452/18135
Epitaxial growth and characterization of GeTe and GeTe/Sb2Te3 superlattices
dc.contributor.authorWang, Rui Ning
dc.date.accessioned2017-08-08T08:31:10Z
dc.date.available2017-08-08T08:31:10Z
dc.date.issued2017-08-08
dc.identifier.urihttp://edoc.hu-berlin.de/18452/18806
dc.description.abstractDie epitaktische Wachstum von GeTe Dünnschichten und Sb2Te3/GeTe Übergittern durch Molekularstrahlepitaxie wird auf drei verschiedenen Silizium Oberflächen gezeigt: Si(111)−(7×7), Si(111)−(√3×√3)R30°−Sb, und Si(111)−(1×1)−H. Mit Röntgenstrukturanalyse wird bewiesen, dass die epitaktische Beziehung der GeTe Schicht von der Oberflächepassievierung abhängig ist; auf einer passivierten Fläche können verdrehte Domänen unterdrückt sein. Dieses Verhalten ähnelt dem, welches bei 2D Materialien zu erwarten wäre, und wird auf die Schwäche der Resonanten ungebundenen Zustände zurückgeführt, die durch Peierls Verzerrung noch schwächer werden.ger
dc.description.abstractThe growth by molecular beam epitaxy of GeTe and Sb2Te3/GeTe superlattices on three differently reconstructed Si(111) surfaces is demonstrated. Namely, these are the Si(111)−(7×7), Si(111)−(√3×√3)R30°−Sb, and Si(111)−(1×1)−H reconstructions. Through X-ray diffraction, the epitaxial relationship of GeTe is shown to depend on the passivation of the surface; in-plane twisted and twinned domains could be suppressed on a passivated surface. This behavior which resembles what would be expected from lamellar materials, is attributed to the relative weakness of resonant dangling bonds, that are further weakened by Peierls distortion.eng
dc.language.isoeng
dc.publisherHumboldt-Universität zu Berlin
dc.rightsNamensnennung - Nicht-kommerziell - Weitergabe unter gleichen Bedingungen 3.0 Deutschland
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/3.0/de/*
dc.subjectMBEger
dc.subjectPhasenwechselmaterialger
dc.subjectGeTeger
dc.subjectSb2Te3ger
dc.subjectGeSbTeger
dc.subjectChalkogenide Übergitterger
dc.subjectRöntgenstrukturanalyseger
dc.subjectRHEEDger
dc.subjectRaman-Spektroskopieger
dc.subjectResonanzstrukturger
dc.subjectPeierls-Instabilitätger
dc.subjectVermischungger
dc.subjectMBEeng
dc.subjectphase-change materialseng
dc.subjectGeTeeng
dc.subjectSb2Te3eng
dc.subjectGeSbTeeng
dc.subjectchalcogenide superlatticeeng
dc.subjectX-ray diffractioneng
dc.subjectreflection high-energy electron diffractioneng
dc.subjectRaman spectroscopyeng
dc.subjectresonant bondingeng
dc.subjectPeierls distorsioneng
dc.subjectintermixingeng
dc.subject.ddc530 Physik
dc.titleEpitaxial growth and characterization of GeTe and GeTe/Sb2Te3 superlattices
dc.typedoctoralThesis
dc.identifier.urnurn:nbn:de:kobv:11-110-18452/18806-9
dc.identifier.doihttp://dx.doi.org/10.18452/18135
dc.date.accepted2017-03-31
dc.contributor.refereeRiechert, Henning
dc.contributor.refereePatella, Fulvia
dc.contributor.refereeCalarco, Raffaella
dc.subject.rvkUP 7550
local.edoc.pages137
local.edoc.type-nameDissertation
local.edoc.institutionMathematisch-Naturwissenschaftliche Fakultät

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