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2022-04-06Dissertation DOI: 10.18452/24307
Diffusion Modeling in Stressed Chalcogenide Thin-Films
dc.contributor.authorSchäfer, Stefan Jerome
dc.date.accessioned2022-04-06T12:57:11Z
dc.date.available2022-04-06T12:57:11Z
dc.date.issued2022-04-06none
dc.identifier.urihttp://edoc.hu-berlin.de/18452/25103
dc.description.abstractDie Effizienz von Verbindungshalbleitern hängt von ihrer lokalen Zusammensetzung und ihrer räumlichen Elementverteilung ab. Um die opto-elektronischen Eigenschaften solcher Bauelemente zu optimieren, ist ein detailliertes Verständnis und die Kontrolle der Zusammensetzungsgradienten entscheidend. Industriell wichtige Bauelemente sind Absorberschichten für Dünnschichtsolarzellen, die eine hohe Effizienz in Kombination mit einem geringen Materialbedarf und einer hohen elastischen Flexibilität bieten. Ein gängiges Herstellungsverfahren für Dünnschicht-Solarzellenabsorber ist das Annealen bei hohen Temperaturen. Im Gegensatz zu dem, was bei Fick'schen Diffusionsprozessen zu erwarten wäre – führt dieses regelmäßig zur Bildung steiler und stabiler Zusammensetzungsgradienten, die oft von den optimalen Profilen für hocheffiziente Absorber abweichen. In dieser Arbeit liegt das Hauptaugenmerk auf den mechanischen Spannungen, die sich im Inneren von Dünnschichten entwickeln, und auf deren Auswirkungen auf Diffusionsprozesse und die mikrostrukturelle Entwicklung des Materials. Es wird gezeigt, dass die Bildung von elastischen Spannungen die endgültigen Elementverteilungen stark beeinflusst und sogar zur Bildung von starken und stabilen Zusammensetzungsgradienten führt. In dieser Arbeit wird weiterhin argumentiert, dass die Wirkung der Spannungen auf die Gleichgewichts-Zusammensetzungsprofile von den mikrostrukturellen Eigenschaften des Materials abhängen kann, insbesondere vom Vorhandensein von Leerstellenquellen. Ein Vergleich numerischer Berechnungen mit Echtzeitdaten der energiedispersiven Röntgenbeugung, die während der Dünnschichtsynthese in-situ erfasst wurden, hilft zu zeigen, dass die so entwickelten Interdiffusionsmodelle die experimentell beobachteten Beugungsspektren und insbesondere die Stagnation der Interdiffusion vor Erreichen der vollständigen Durchmischung teilweise reproduzieren können.ger
dc.description.abstractThe operational efficiency of compound semiconductors regularly depends on their local elemental composition and on the spatial distribution of contained elements. To optimize the opto-electronic properties of such devices, a detailed understanding and control of compositional gradients is crucial. Industrially important devices are thin-film solar cell absorber layers which deliver high photo-conversion efficiencies in combination with a low demand of material and high elastic flexibility. These materials use local variations in composition to tune their opto-electronic properties. A common fabrication process for thin-film solar cell absorbers involves annealing at high temperatures to achieve specific compositional gradients, which – contrary to what could be expected from simple Fickian diffusion processes – regularly results in the formation of steep and stable compositional gradients, often deviating from the optimal profiles for high-efficiency absorbers. In this work attention is focused especially on mechanical stresses developing inside thin-films and on their effects on diffusion processes and on the material’s micro-structural evolution. It is shown that the formation of elastic stresses strongly influences the final elemental distributions, even leading to the formation of strong and stable final compositional gradients. However, this thesis also argues that their exact effect on equilibrium composition profiles may depend on the detailed micro-structural properties of the material, especially on the presence of vacancy sources and sinks. A comparison of numerical calculations with real-time synchroton-based energy-dispersive X-ray diffraction data acquired in-situ during thin-film synthesis helps to demonstrate that the such developed interdiffusion models can partly reproduce the experimentally observed diffraction spectra and, especially, the stagnation of interdiffusion before total intermixing is achieved.eng
dc.language.isoengnone
dc.publisherHumboldt-Universität zu Berlin
dc.rights(CC BY-SA 4.0) Attribution-ShareAlike 4.0 Internationalger
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by-sa/4.0/
dc.subjectDünnschicht-Solarzellenger
dc.subjectDiffusionger
dc.subjectMikrostrukturger
dc.subjectMechanische Spannungenger
dc.subjectVerbundhalbleiterger
dc.subjectLeerstellenger
dc.subjectThin-Film Solarcellseng
dc.subjectDiffusioneng
dc.subjectMicro-Structureeng
dc.subjectMechanical Stresseseng
dc.subjectCompound Semiconductorseng
dc.subjectVacancieseng
dc.subject.ddc621 Angewandte Physiknone
dc.subject.ddc530 Physiknone
dc.subject.ddc500 Naturwissenschaften und Mathematiknone
dc.titleDiffusion Modeling in Stressed Chalcogenide Thin-Filmsnone
dc.typedoctoralThesis
dc.identifier.urnurn:nbn:de:kobv:11-110-18452/25103-0
dc.identifier.doihttp://dx.doi.org/10.18452/24307
dc.date.accepted2022-03-11
dc.contributor.refereeRaoux, Simone
dc.contributor.refereeGenzel, Christoph
dc.contributor.refereeAlbe, Karsten
local.edoc.pages166none
local.edoc.type-nameDissertation
bua.departmentMathematisch-Naturwissenschaftliche Fakultätnone

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